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蘇州市創聯凈化設備有限公司
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電子工業-120t超純水設備
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微電子、電池工業用水應用領域和指標要求參考:用途用水指標參考標準單晶硅、多晶硅、太陽能電池、氧化鋁坩堝、光伏玻璃等生產電阻率15~18.25MΩ.CM我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997美國半導體工業用純水指標單晶硅半導體集成電路塊,顯像管、玻殼、液晶顯示器等制造工業電阻率15~18.25MΩ.CM美國半導體工業用純水指標我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997光學材料清洗用水、電子陶瓷行業用純水、磁性材料用純水電阻率10~17MΩ.CM我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997美國半導體工業用純水指標蓄電池、鋰電池、鋅錳電池生產電阻率5~10MΩ.CM我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997有色金屬、貴金屬冶煉用水、納米級新材料生產用水、航空新材料生產用水、ITO導電玻璃制造用水、電子級無塵布生產用水電阻率15~18.25MΩ.CM我國電子級水質技術指標,美國半導體工業用純水指標?主要工藝流程和出水指標:※預處理+反滲透+離子交換器(電阻率≥15MΩ.CM)※預處理+二級反滲透+EDI(電阻率≥15MΩ.CM)※預處理+二級反滲透+脫氣膜+EDI+拋光混床(電阻率≥18.25MΩ.CM)(詳細工藝需根據原水設計情況進行設計)?純水設備的主要特點:▼結合電子工業用水連續生產的特性,采用了全膜法處理工藝(UF+RO+EDI)完成高純水的制備工作;▼對于電子行業用水的特性,增強了對水中二氧化硅、重金屬和有機碳的脫除;▼采用了氮封水箱解決了電子工業用水要求較高,水的儲存容易污染問題;▼采用進口反滲透膜,脫鹽率高,使用壽命長,運行成本低廉,產水水質高而穩定;▼在線水質監測控制,實時監測水質變化,保障水質放心;▼全自動電控程
產品詳情介紹

微電子、電池工業用水
應用領域和指標要求參考:
電子級高純水設備

用途

用水指標

參考標準

單晶硅、多晶硅、太陽能電池、氧化鋁坩堝、光伏玻璃等生產

電阻率15 ~18.25 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997
美國半導體工業用純水指標

單晶硅半導體集成電路塊,顯像管、玻殼、液晶顯示器等制造工業

電阻率15 ~18.25 MΩ.CM

美國半導體工業用純水指標
我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997

光學材料清洗用水、電子陶瓷行業用純水、磁性材料用純水

電阻率 10 ~17 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997
美國半導體工業用純水指標

蓄電池、鋰電池、鋅錳電池生產

電阻率5 ~10 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997

有色金屬、貴金屬冶煉用水、納米級新材料生產用水、航空新材料生產用水、ITO導電玻璃制造用水、電子級無塵布生產用水

電阻率15 ~18.25 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,美國半導體工業用純水指標


主要工藝流程和出水指標:

※ 預處理+反滲透+離子交換器(電阻率≥15MΩ.CM)

※ 預處理+二級反滲透+EDI(電阻率≥15MΩ.CM)

※ 預處理+二級反滲透+脫氣膜+EDI +拋光混床(電阻率≥18.25MΩ.CM)

(詳細工藝需根據原水設計情況進行設計)

純水設備的主要特點 :

▼結合電子工業用水連續生產的特性,采用了全膜法處理工藝(UF+RO+EDI)完成高純水的制備工作;

▼對于電子行業用水的特性,增強了對水中二氧化硅、重金屬和有機碳的脫除;

▼采用了氮封水箱解決了電子工業用水要求較高,水的儲存容易污染問題;

▼采用進口反滲透膜,脫鹽率高,使用壽命長,運行成本低廉,產水水質高而穩定;

▼在線水質監測控制,實時監測水質變化,保障水質放心;

▼全自動電控程序,還可選配觸摸屏操作,使用方便,操作簡單;

▼切合當地水質的個性化設計,設想周到的堆疊式設計,占地面積小,滿足需求。

▼運行費用及維修成本低,全自動運行,實現無人化管理操作。



電子工業-120t超純水設備
電子工業-120t超純水設備

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微電子、電池工業用水應用領域和指標要求參考:用途用水指標參考標準單晶硅、多晶硅、太陽能電池、氧化鋁坩堝、光伏玻璃等生產電阻率15~18.25MΩ.CM我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997美國半導體工業用純水指標單晶硅半導體集成電路塊,顯像管、玻殼、液晶顯示器等制造工業電阻率15~18.25MΩ.CM美國半導體工業用純水指標我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997光學材料清洗用水、電子陶瓷行業用純水、磁性材料用純水電阻率10~17MΩ.CM我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997美國半導體工業用純水指標蓄電池、鋰電池、鋅錳電池生產電阻率5~10MΩ.CM我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997GB11446-1-1997有色金屬、貴金屬冶煉用水、納米級新材料生產用水、航空新材料生產用水、ITO導電玻璃制造用水、電子級無塵布生產用水電阻率15~18.25MΩ.CM我國電子級水質技術指標,美國半導體工業用純水指標?主要工藝流程和出水指標:※預處理+反滲透+離子交換器(電阻率≥15MΩ.CM)※預處理+二級反滲透+EDI(電阻率≥15MΩ.CM)※預處理+二級反滲透+脫氣膜+EDI+拋光混床(電阻率≥18.25MΩ.CM)(詳細工藝需根據原水設計情況進行設計)?純水設備的主要特點:▼結合電子工業用水連續生產的特性,采用了全膜法處理工藝(UF+RO+EDI)完成高純水的制備工作;▼對于電子行業用水的特性,增強了對水中二氧化硅、重金屬和有機碳的脫除;▼采用了氮封水箱解決了電子工業用水要求較高,水的儲存容易污染問題;▼采用進口反滲透膜,脫鹽率高,使用壽命長,運行成本低廉,產水水質高而穩定;▼在線水質監測控制,實時監測水質變化,保障水質放心;▼全自動電控程
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微電子、電池工業用水
應用領域和指標要求參考:
電子級高純水設備

用途

用水指標

參考標準

單晶硅、多晶硅、太陽能電池、氧化鋁坩堝、光伏玻璃等生產

電阻率15 ~18.25 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997
美國半導體工業用純水指標

單晶硅半導體集成電路塊,顯像管、玻殼、液晶顯示器等制造工業

電阻率15 ~18.25 MΩ.CM

美國半導體工業用純水指標
我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997

光學材料清洗用水、電子陶瓷行業用純水、磁性材料用純水

電阻率 10 ~17 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997
美國半導體工業用純水指標

蓄電池、鋰電池、鋅錳電池生產

電阻率5 ~10 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,GB11446-1-1997
GB11446-1-1997

有色金屬、貴金屬冶煉用水、納米級新材料生產用水、航空新材料生產用水、ITO導電玻璃制造用水、電子級無塵布生產用水

電阻率15 ~18.25 MΩ.CM

我國電子級水質技術指標,美國半導體工業用純水指標


主要工藝流程和出水指標:

※ 預處理+反滲透+離子交換器(電阻率≥15MΩ.CM)

※ 預處理+二級反滲透+EDI(電阻率≥15MΩ.CM)

※ 預處理+二級反滲透+脫氣膜+EDI +拋光混床(電阻率≥18.25MΩ.CM)

(詳細工藝需根據原水設計情況進行設計)

純水設備的主要特點 :

▼結合電子工業用水連續生產的特性,采用了全膜法處理工藝(UF+RO+EDI)完成高純水的制備工作;

▼對于電子行業用水的特性,增強了對水中二氧化硅、重金屬和有機碳的脫除;

▼采用了氮封水箱解決了電子工業用水要求較高,水的儲存容易污染問題;

▼采用進口反滲透膜,脫鹽率高,使用壽命長,運行成本低廉,產水水質高而穩定;

▼在線水質監測控制,實時監測水質變化,保障水質放心;

▼全自動電控程序,還可選配觸摸屏操作,使用方便,操作簡單;

▼切合當地水質的個性化設計,設想周到的堆疊式設計,占地面積小,滿足需求。

▼運行費用及維修成本低,全自動運行,實現無人化管理操作。



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