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蘇州市創聯凈化設備有限公司
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20t/h半導體超純水設備及含氟酸堿廢水處理設備發貨—蘇州市創聯凈化設備有限公司
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發往江西德興XX半導體有限公司20t/h半導體超純水設備及含氟酸堿廢水處理設備:
本項目半導體超純水設備產水流量20t/h,電阻率18兆歐以上,達到電子級水一級標準。
項目圖片展示,**我們來聊聊高純水設備及廢水對技術參數有哪些要求
產品詳情介紹

發往江西德興XX半導體有限公司20t/h半導體超純水設備及含氟酸堿廢水處理設備:

本項目半導體超純水設備產水流量20t/h,電阻率18兆歐以上,達到電子級水一級標準。

**我們來聊聊超純水和廢水有哪些技術要求


1、業主對純水技術參數要求:

(1)超純水供水量:20t/h;二級RO出水量:5T/h;

(2)電阻率:≥18.1MΩcm(@25℃);二級RO出水電導率:<3μS/cm(@25℃)

(3)總溶解有機碳TOC:<50ppb;

(4)顆粒度:< 5個/ml(φ>0.2u);

(5)SiO2含量:<5ppb;

(6)溫度:22~27℃;

(7)細菌含量:<50個/100ml;

(8)壓力:0.3Mpa 

2、廢水技術參數要求:

(1)酸堿綜合廢水:包含工藝廢水、公輔廢水、初期雨水等,設計總水量 40m3/h,其中含氟廢水水量為8m3/h,研磨廢水水量為8m3/h。

(2)控制標準(按 24h/d 連續運行計算):PH<9,氟離子<20mg/L,COD<500mg/L,氨氮<50mg/L,并滿足《污水綜合排放標準》GB8978-1996三級標準;

(3)設備配套:改造原有廢水站,廢水系統應滿足招標文件、圖紙設計全部內容及有關施工驗收規范的要求,管道系統采用UPVC(含閥門管件)

■半導體行業:用于晶元6~12寸切割、清洗、再生、封測用水、半導體設備清洗、電子級無塵布無塵服清洗。

■太陽能光伏行業:單晶硅、多晶硅切片清洗、太陽能電池、石英坩堝、多晶硅方舟、光伏玻璃、高純硅粉

■LCD、LED、OLED生產清洗用水,光學攝像頭清洗,光學材料清洗,導電玻璃清洗;

■半導體集成電路板,線路板生產清洗用超純水;

■鋰電池材料(磷酸鐵鋰、三元材料、鋰電池隔膜)、蓄電池、鋅錳電池生產用水

■電子級超純化學試劑用純水,納米級電子陶瓷材料純水、**磁性材料用純水、有色金屬、貴金屬冶煉用水、航空新材料生產用水、電容器材料腐蝕化成工藝用水。

高純水設備應用

     以上是創聯凈化小李對高純水設備及廢水設備的幾點簡單介紹,如果需要更詳細的方案或設備報價,歡迎來咨詢我們呀。

    


20t/h半導體超純水設備及含氟酸堿廢水處理設備發貨—蘇州市創聯凈化設備有限公司
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本項目半導體超純水設備產水流量20t/h,電阻率18兆歐以上,達到電子級水一級標準。

**我們來聊聊超純水和廢水有哪些技術要求


1、業主對純水技術參數要求:

(1)超純水供水量:20t/h;二級RO出水量:5T/h;

(2)電阻率:≥18.1MΩcm(@25℃);二級RO出水電導率:<3μS/cm(@25℃)

(3)總溶解有機碳TOC:<50ppb;

(4)顆粒度:< 5個/ml(φ>0.2u);

(5)SiO2含量:<5ppb;

(6)溫度:22~27℃;

(7)細菌含量:<50個/100ml;

(8)壓力:0.3Mpa 

2、廢水技術參數要求:

(1)酸堿綜合廢水:包含工藝廢水、公輔廢水、初期雨水等,設計總水量 40m3/h,其中含氟廢水水量為8m3/h,研磨廢水水量為8m3/h。

(2)控制標準(按 24h/d 連續運行計算):PH<9,氟離子<20mg/L,COD<500mg/L,氨氮<50mg/L,并滿足《污水綜合排放標準》GB8978-1996三級標準;

(3)設備配套:改造原有廢水站,廢水系統應滿足招標文件、圖紙設計全部內容及有關施工驗收規范的要求,管道系統采用UPVC(含閥門管件)

■半導體行業:用于晶元6~12寸切割、清洗、再生、封測用水、半導體設備清洗、電子級無塵布無塵服清洗。

■太陽能光伏行業:單晶硅、多晶硅切片清洗、太陽能電池、石英坩堝、多晶硅方舟、光伏玻璃、高純硅粉

■LCD、LED、OLED生產清洗用水,光學攝像頭清洗,光學材料清洗,導電玻璃清洗;

■半導體集成電路板,線路板生產清洗用超純水;

■鋰電池材料(磷酸鐵鋰、三元材料、鋰電池隔膜)、蓄電池、鋅錳電池生產用水

■電子級超純化學試劑用純水,納米級電子陶瓷材料純水、**磁性材料用純水、有色金屬、貴金屬冶煉用水、航空新材料生產用水、電容器材料腐蝕化成工藝用水。

高純水設備應用

     以上是創聯凈化小李對高純水設備及廢水設備的幾點簡單介紹,如果需要更詳細的方案或設備報價,歡迎來咨詢我們呀。

    


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